ISC008N06LM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC008N06LM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC151N08NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC008N06LM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 44 A —
Pulsed Drain Current (ID, pulse) at Tc 378 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 221 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
RDS(on) max @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic Level (1.0 V to 2.4 V typical) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (Tj) —
Package Type PG-TDSON-8 (Surface Mount) —
Montaj Stili Surface Mount, Tape & Reel —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS / Lead-Free Status RoHS Compliant, Lead-Free —
Klorürsüz Yes —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Technology — OptiMOS 6
Paket — PG-TDSON-8 FL
Montaj Türü — Surface Mount
Pin Sayısı — 8
Channel Mode — Enhancement
İşletim Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin