ISC008N06LM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC008N06LM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC151N08NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC008N06LM6ATMA1 ISC008N06LM6ATMA1 - 60V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC008N06LM6ATMA1 - 60V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC008N06LM6ATMA1 ✓ فعال
Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISC008N06LM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 44 A —
Pulsed Drain Current (ID, pulse) at Tc 378 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 221 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
RDS(on) max @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic Level (1.0 V to 2.4 V typical) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C (Tj) —
Package Type PG-TDSON-8 (Surface Mount) —
ماؤنٹنگ اسٹائل Surface Mount, Tape & Reel —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS / Lead-Free Status RoHS Compliant, Lead-Free —
ہیلوجن فری Yes —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Technology — OptiMOS 6
پیکیج — PG-TDSON-8 FL
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
پنز کی تعداد — 8
Channel Mode — Enhancement
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں