K4A4G085WE-BCRC vs MT40A512M8SA-062E তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A4G085WE-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও MT40A512M8SA-062E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A4G085WE-BCRC | MT40A512M8SA-062E |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | DRAM |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| সংগঠন | 512M x 8 | 512M x 8 |
| ডেটা রেট | 2400 Mbps | 3200 MT/s (DDR4-3200 class) |
| Clock Cycle Time (tCK) | 0.833 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Core Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| প্যাকেজ | FBGA-78 | 78-FBGA (7.5 x 11 mm), Z10B |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node Family | Samsung E-die | — |
| ইন্টারফেস | Parallel | Parallel, 1.2 V pseudo open-drain I/O |
| Bank Groups | 4n prefetch DDR4 architecture | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (per LCSC listing) | — |
| মেমরি সাইজ | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply | — | 2.5 V (-125 mV / +250 mV) |
| VREFDQ | — | On-die internal adjustable generation |
| Operating Temperature (TC max) | — | up to 95 degrees C |
| Package Flow | — | :F (lead-free / RoHS) |
| মাউন্টিং স্টাইল | — | SMD/SMT |