K4A4G085WE-BCRC vs MT40A512M8SA-062E موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G085WE-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور MT40A512M8SA-062E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G085WE-BCRC | MT40A512M8SA-062E |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 Mbps | 3200 MT/s (DDR4-3200 class) |
| Clock Cycle Time (tCK) | 0.833 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Core Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| پیکیج | FBGA-78 | 78-FBGA (7.5 x 11 mm), Z10B |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node Family | Samsung E-die | — |
| انٹرفیس | Parallel | Parallel, 1.2 V pseudo open-drain I/O |
| Bank Groups | 4n prefetch DDR4 architecture | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (per LCSC listing) | — |
| میموری سائز | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply | — | 2.5 V (-125 mV / +250 mV) |
| VREFDQ | — | On-die internal adjustable generation |
| Operating Temperature (TC max) | — | up to 95 degrees C |
| Package Flow | — | :F (lead-free / RoHS) |
| ماؤنٹنگ اسٹائل | — | SMD/SMT |