K4A4G085WF-BITD vs K4A4G085WD-BCRC তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A4G085WF-BITD নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A4G085WD-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4A4G085WF-BITD K4A4G085WF-BITD - DDR4 4Gb 2666Mbps DRAM | Samsung

K4A4G085WF-BITD - DDR4 4Gb 2666Mbps DRAM | Samsung

K4A4G085WF-BITD ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCRC K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4A4G085WF-BITD K4A4G085WD-BCRC
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি DRAM Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (D-die)
Density 4 Gbit —
সংগঠন 512M x 8 512M x 8
Speed 2666 Mbps (MT/s) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
VPP Voltage 2.5 V —
অপারেটিং তাপমাত্রা -40C to +95C —
প্যাকেজ 78-ball FBGA (78FBGA) FBGA-78 (TFBGA)
Bank Architecture 8 banks x 4 bank groups —
Burst Length BL8 —
CAS লেটেন্সি CL19 (typical at 2666 Mbps) [DATA_NEEDED: CAS Latency]
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount (BGA) Surface Mount
ইন্টারফেস Parallel, DDR4 SSTL12 Parallel
Refresh Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) [DATA_NEEDED: Refresh specification]
Termination ODT / dynamic ODT —
Data Mask DM supported (x8) —
Application Grade Industrial —
Memory Density — 4 Gbit
ডেটা রেট — 2400 Mb/s (PC2400)
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 1.2 V
Number of Terminals — 78
Access Mode — Multi-bank page burst
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
RoHS স্ট্যাটাস — [DATA_NEEDED: RoHS Status]
MSL লেভেল — [DATA_NEEDED: MSL Level]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট