K4A4G085WF-BITD vs K4A4G085WD-BCRC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A4G085WF-BITD द्वारा Samsung Electronics और K4A4G085WD-BCRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A4G085WF-BITD | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Speed | 2666 Mbps (MT/s) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +95C | — |
| पैकेज | 78-ball FBGA (78FBGA) | FBGA-78 (TFBGA) |
| Bank Architecture | 8 banks x 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| CAS लेटेंसी | CL19 (typical at 2666 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | Parallel, DDR4 SSTL12 | Parallel |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Termination | ODT / dynamic ODT | — |
| Data Mask | DM supported (x8) | — |
| Application Grade | Industrial | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| डेटा दर | — | 2400 Mb/s (PC2400) |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| RoHS स्थिति | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |