K4A4G165WF-BCWE vs K4A4G165WD-BCPB তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A4G165WF-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A4G165WD-BCPB নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A4G165WF-BCWE | K4A4G165WD-BCPB |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | In Stock | — |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $10.65 | — |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ডেটা রেট | 3200 Mbps | 2133 MT/s |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| প্যাকেজ | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| ইন্টারফেস | Parallel | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) |
| Die Generation | Samsung F-die | D-die |
| Data Mask | Supported (DM) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT supported | — |
| CRC | Supported | — |
| Auto Precharge | Supported | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (lead-free suffix) |
| Density | — | 4 Gbit |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| CAS লেটেন্সি | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] |
| Burst Length | — | 8 (BL8, fixed/chop) |
| Pb-Free | — | Yes (per Samsung part-numbering suffix) |
| Refresh | — | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) |