K4A4G165WF-BCWE vs K4A4G165WD-BCPB مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A4G165WF-BCWE توسط Samsung Electronics و K4A4G165WD-BCPB توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A4G165WF-BCWE | K4A4G165WD-BCPB |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | In Stock | — |
| قیمت واحد (USD) | $10.65 | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| نرخ داده | 3200 Mbps | 2133 MT/s |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| دمای کاری | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| بسته‌بندی | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| رابط | Parallel | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) |
| Die Generation | Samsung F-die | D-die |
| Data Mask | Supported (DM) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT supported | — |
| CRC | Supported | — |
| Auto Precharge | Supported | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (lead-free suffix) |
| Density | — | 4 Gbit |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] |
| Burst Length | — | 8 (BL8, fixed/chop) |
| Pb-Free | — | Yes (per Samsung part-numbering suffix) |
| Refresh | — | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) |