K4A4G165WF-BCWE vs K4A4G165WD-BCPB موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WF-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G165WD-BCPB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G165WF-BCWE | K4A4G165WD-BCPB |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| اسٹاک کی حالت | In Stock | — |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $10.65 | — |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps | 2133 MT/s |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| پیکیج | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| انٹرفیس | Parallel | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) |
| Die Generation | Samsung F-die | D-die |
| Data Mask | Supported (DM) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT supported | — |
| CRC | Supported | — |
| Auto Precharge | Supported | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (lead-free suffix) |
| Density | — | 4 Gbit |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] |
| Burst Length | — | 8 (BL8, fixed/chop) |
| Pb-Free | — | Yes (per Samsung part-numbering suffix) |
| Refresh | — | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) |