K4A8G085WC-BCRC vs H5AN8G8NAFR-RDC তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G085WC-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও H5AN8G8NAFR-RDC নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G085WC-BCRC | H5AN8G8NAFR-RDC |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | SK hynix |
| ক্যাটাগরি | DRAM | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gbit |
| সংগঠন | 1G x 8 | 1G x 8 (x8) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | — |
| ডেটা রেট | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2666 MT/s (per -R speed grade suffix) |
| প্যাকেজ | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Refresh | Auto/Self refresh | — |
| ইন্টারফেস | — | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| Speed Grade | — | -RDC (DDR4-2666 class) |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Wordline Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| Banks / Bank Groups | — | 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| CAS লেটেন্সি | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Lead-Free | — | Yes |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes |
| Datasheet Revision | — | Rev. 1.2 / Jul. 2017 |