K4A8G085WC-BCRC vs H5AN8G8NAFR-RDC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور H5AN8G8NAFR-RDC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WC-BCRC | H5AN8G8NAFR-RDC |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | SK hynix |
| زمرہ | DRAM | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gbit |
| تنظیم | 1G x 8 | 1G x 8 (x8) |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2666 MT/s (per -R speed grade suffix) |
| پیکیج | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Refresh | Auto/Self refresh | — |
| انٹرفیس | — | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| Speed Grade | — | -RDC (DDR4-2666 class) |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Wordline Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| Banks / Bank Groups | — | 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Lead-Free | — | Yes |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| Datasheet Revision | — | Rev. 1.2 / Jul. 2017 |