K4A8G085WC-BCWE vs H5AN4G8NBJR-UHI তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G085WC-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও H5AN4G8NBJR-UHI নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G085WC-BCWE | H5AN4G8NBJR-UHI |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | SK hynix |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | In Stock | — |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $7.38 | — |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4 Gbit |
| সংগঠন | 1G x 8 | 512M x 8 |
| ডেটা রেট | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2400 MT/s |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| প্যাকেজ | 78FBGA | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| ইন্টারফেস | DDR4 (parallel, double data rate) | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Application Class | Computing / Embedded main memory | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (8n prefetch) | — |
| Speed Bin Suffix | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Refresh | Standard DDR4 refresh mechanisms | Self-refresh and auto-refresh support |
| On-Die Termination | Yes (DDR4 ODT) | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Grade | — | Industrial (-UHI suffix) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank group architecture |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| CAS লেটেন্সি | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |