K4A8G165WB-BCRC vs H5AN8G6NDJR তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WB-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও H5AN8G6NDJR নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WB-BCRC ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G165WB-BCRC | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | SK hynix |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| ইন্টারফেস | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| ডেটা রেট | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40C to +95C | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| সংগঠন | — | 512M x 16 |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS লেটেন্সি | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| বৈশিষ্ট্য | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |