K4A8G165WB-BCRC vs H5AN8G6NDJR השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WB-BCRC מאת Samsung Electronics ו H5AN8G6NDJR מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G165WB-BCRC | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| ממשק | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| קצב נתונים | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| מארז | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +95C | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| ארגון | — | 512M x 16 |
| מתח אספקה | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| השהיית CAS | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| תכונות | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |