K4A8G165WB-BCRC vs H5AN8G6NDJR Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WB-BCRC tarafından Samsung Electronics ve H5AN8G6NDJR tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G165WB-BCRC | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | SK hynix |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Arayüz | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Veri Hızı | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| Paket | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| İşletim Sıcaklığı | -40C to +95C | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organizasyon | — | 512M x 16 |
| Besleme Gerilimi | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS Gecikme | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| Özellikler | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |