K4A8G165WB-BIRC vs K4A8G165WB-BCRC তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WB-BIRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G165WB-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BIRC ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4A8G165WB-BIRC K4A8G165WB-BCRC
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
স্টক স্ট্যাটাস In Stock —
ইউনিট মূল্য (USD) $32.50 —
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (DRAM, volatile)
Density 8 Gb —
সংগঠন 512M x 16 —
ডেটা রেট 2400 Mbps 2400 Mbps/pin (DDR4-2400)
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.2 V —
অপারেটিং তাপমাত্রা -40°C to +95°C -40C to +95C
প্যাকেজ 96-FBGA 96-ball FBGA (PBGA96)
CAS লেটেন্সি 15, 16, 17 —
Burst Length 8 (BL8) and 4 (BC4) —
ইন্টারফেস Pseudo-open-drain Parallel (DDR4 SDRAM bus)
On-Die Termination Yes —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Row Address 16K —
Column Address 1K —
RoHS Compliant —
মেমরি সাইজ — 8 Gb
Memory Organization — 512M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Technology — CMOS, B-die 8Gb die
মাউন্টিং টাইপ — Surface Mount
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC / CA Parity — CRC function supported
On-Chip Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Clock Frequency — 1200 MHz (DDR4-2400)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট