K4A8G165WB-BIRC vs K4A8G165WB-BCRC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BIRC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G165WB-BIRC | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| اسٹاک کی حالت | In Stock | — |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $32.50 | — |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| تنظیم | 512M x 16 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 Mbps | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40°C to +95°C | -40C to +95C |
| پیکیج | 96-FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| CAS لیٹنسی | 15, 16, 17 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) and 4 (BC4) | — |
| انٹرفیس | Pseudo-open-drain | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Row Address | 16K | — |
| Column Address | 1K | — |
| RoHS | Compliant | — |
| میموری سائز | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Clock Frequency | — | 1200 MHz (DDR4-2400) |