K4A8G165WB-BIRC vs K4A8G165WB-BCRC So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G165WB-BIRC bằng Samsung Electronics và K4A8G165WB-BCRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BIRC ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WB-BCRC ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G165WB-BIRC | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Trạng thái kho | In Stock | — |
| Giá đơn vị (USD) | $32,50 | — |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| Tổ chức | 512M x 16 | — |
| Tốc độ dữ liệu | 2400 Mbps | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -40°C to +95°C | -40C to +95C |
| Hộp | 96-FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Latency CAS | 15, 16, 17 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) and 4 (BC4) | — |
| Giao diện | Pseudo-open-drain | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Row Address | 16K | — |
| Column Address | 1K | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Kích thước bộ nhớ | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| Kiểu lắp đặt | — | Surface Mount |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Clock Frequency | — | 1200 MHz (DDR4-2400) |