K4B4G1646F-BYMA vs MT41K256M16HA-125 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646F-BYMA নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও MT41K256M16HA-125 নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4B4G1646F-BYMA K4B4G1646F-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646F-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646F-BYMA ✓ সক্রিয়
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4B4G1646F-BYMA MT41K256M16HA-125
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ইউনিট মূল্য (USD) — $6.36
মেমরি টাইপ DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
সংগঠন 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V (1.28V~1.45V) & 1.5V (1.425V~1.575V) —
ডেটা রেট 1866 Mbps (PC3-14900) —
প্যাকেজ 96-FBGA (Lead-Free & Halogen-Free) 96-FBGA (9x14 mm)
অপারেটিং তাপমাত্রা -40°C to +95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS লেটেন্সি CL=13 (at 1.35V) 11
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
ইন্টারফেস 16-bit I/O —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Data Mask Yes —
RoHS Compliant —
হ্যালোজেন মুক্ত Yes —
মেমরি সাইজ — 4Gbit (256M x 16)
ডেটা বাস প্রস্থ — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 1.35 V
পিনের সংখ্যা — 96
মাউন্টিং টাইপ — Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant
Lead-Free — Yes
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট