K4B4G1646F-BYMA vs MT41K256M16HA-125 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646F-BYMA द्वारा Samsung Electronics और MT41K256M16HA-125 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646F-BYMA | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $6.36 |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| संगठन | 256M x 16 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (1.28V~1.45V) & 1.5V (1.425V~1.575V) | — |
| डेटा दर | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| पैकेज | 96-FBGA (Lead-Free & Halogen-Free) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS लेटेंसी | CL=13 (at 1.35V) | 11 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| इंटरफ़ेस | 16-bit I/O | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| मेमोरी आकार | — | 4Gbit (256M x 16) |
| डेटा बस चौड़ाई | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.35 V |
| पिन की संख्या | — | 96 |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |