K4B4G1646F-BYMA vs MT41K256M16HA-125 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646F-BYMA tarafından Samsung Electronics ve MT41K256M16HA-125 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646F-BYMA | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $6,36 |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (1.28V~1.45V) & 1.5V (1.425V~1.575V) | — |
| Veri Hızı | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| Paket | 96-FBGA (Lead-Free & Halogen-Free) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| İşletim Sıcaklığı | -40°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS Gecikme | CL=13 (at 1.35V) | 11 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Arayüz | 16-bit I/O | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Bellek Boyutu | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Veri Bus Genişliği | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Besleme Gerilimi | — | 1.35 V |
| Pin Sayısı | — | 96 |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |