K4B4G1646F-BYMA vs MT41K256M16HA-125 So sánh
So sánh chi tiết song song của K4B4G1646F-BYMA bằng Samsung Electronics và MT41K256M16HA-125 bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4B4G1646F-BYMA | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | — | $6,36 |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| Tổ chức | 256M x 16 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (1.28V~1.45V) & 1.5V (1.425V~1.575V) | — |
| Tốc độ dữ liệu | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| Hộp | 96-FBGA (Lead-Free & Halogen-Free) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Nhiệt độ hoạt động | -40°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latency CAS | CL=13 (at 1.35V) | 11 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Giao diện | 16-bit I/O | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Đông trùng haogen | Yes | — |
| Kích thước bộ nhớ | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Bề rộng đường dữ liệu | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Điện áp cung cấp | — | 1.35 V |
| Số lượng chân | — | 96 |
| Kiểu lắp đặt | — | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |