K4B4G1646F-BYMA vs MT41K256M16HA-125 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646F-BYMA מאת Samsung Electronics ו MT41K256M16HA-125 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646F-BYMA | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $6.36 |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (1.28V~1.45V) & 1.5V (1.425V~1.575V) | — |
| קצב נתונים | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| מארז | 96-FBGA (Lead-Free & Halogen-Free) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| השהיית CAS | CL=13 (at 1.35V) | 11 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| ממשק | 16-bit I/O | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| גודל זיכרון | — | 4Gbit (256M x 16) |
| רוחב אפיק נתונים | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| מתח אספקה | — | 1.35 V |
| מספר פינים | — | 96 |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |