K6X0808C1D-BF55 vs K6X1008C2D-TF55 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K6X0808C1D-BF55 নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K6X1008C2D-TF55 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung

K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung

K6X1008C2D-TF55 ✗ জীবনকালের সমাপ্তি

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K6X0808C1D-BF55 K6X1008C2D-TF55
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি DRAM Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় উৎপাদন শেষ
মেমরি টাইপ Asynchronous SRAM SRAM - Asynchronous
মেমরি সাইজ 256 Kbit 1 Mbit
সংগঠন 32K x 8 128K x 8
Access Time 55 ns —
ইন্টারফেস Parallel Parallel
সাপ্লাই ভোল্টেজ 5 V —
Technology CMOS Low Power Full CMOS
প্যাকেজ 28-SOP 32-TSOP REVERSE
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] 35 mA
Control Signals CE, OE, WE —
Memory Format SRAM Volatile (SRAM)
Clock Frequency N/A (asynchronous) N/A (asynchronous)
Refresh Not required (static memory) —
RoHS স্ট্যাটাস unknown RoHS: Yes (per distributor listing)
Access Time (tAA) — 55 ns
Supply Voltage (Vcc) — 4.5 V to 5.5 V
Speed Options — 55 ns, 70 ns

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট