K6X0808C1D-BF55 vs K6X1008C2D-TF55 So sánh
So sánh chi tiết song song của K6X0808C1D-BF55 bằng Samsung Electronics và K6X1008C2D-TF55 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung
K6X1008C2D-TF55 ✗ Cuối đờiSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K6X0808C1D-BF55 | K6X1008C2D-TF55 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | DRAM | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Cuối chu kỳ cuộc sống |
| Kiểu bộ nhớ | Asynchronous SRAM | SRAM - Asynchronous |
| Kích thước bộ nhớ | 256 Kbit | 1 Mbit |
| Tổ chức | 32K x 8 | 128K x 8 |
| Access Time | 55 ns | — |
| Giao diện | Parallel | Parallel |
| Điện áp cung cấp | 5 V | — |
| Technology | CMOS | Low Power Full CMOS |
| Hộp | 28-SOP | 32-TSOP REVERSE |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | 35 mA |
| Control Signals | CE, OE, WE | — |
| Memory Format | SRAM | Volatile (SRAM) |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | N/A (asynchronous) |
| Refresh | Not required (static memory) | — |
| Trạng thái RoHS | unknown | RoHS: Yes (per distributor listing) |
| Access Time (tAA) | — | 55 ns |
| Supply Voltage (Vcc) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Speed Options | — | 55 ns, 70 ns |