K6X0808C1D-BF55 vs K6X1008C2D-TF55 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K6X0808C1D-BF55 بذریعہ Samsung Electronics اور K6X1008C2D-TF55 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 ✓ فعال
Samsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung

K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung

K6X1008C2D-TF55 ✗ اختتامِ زندگی

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K6X0808C1D-BF55 K6X1008C2D-TF55
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ DRAM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال اختتامِ زندگی
میموری ٹائپ Asynchronous SRAM SRAM - Asynchronous
میموری سائز 256 Kbit 1 Mbit
تنظیم 32K x 8 128K x 8
Access Time 55 ns —
انٹرفیس Parallel Parallel
سپلائی وولٹیج 5 V —
Technology CMOS Low Power Full CMOS
پیکیج 28-SOP 32-TSOP REVERSE
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] 35 mA
Control Signals CE, OE, WE —
Memory Format SRAM Volatile (SRAM)
Clock Frequency N/A (asynchronous) N/A (asynchronous)
Refresh Not required (static memory) —
RoHS اسٹیٹس unknown RoHS: Yes (per distributor listing)
Access Time (tAA) — 55 ns
Supply Voltage (Vcc) — 4.5 V to 5.5 V
Speed Options — 55 ns, 70 ns

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں