K6X1008C2D-TF55 vs K6X1008C2D-BF55 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K6X1008C2D-TF55 নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K6X1008C2D-BF55 নির্দিষ্ট Samsung Electro-Mechanics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung

K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung

K6X1008C2D-TF55 ✗ জীবনকালের সমাপ্তি
Samsung Electro-Mechanics
K6X1008C2D-BF55 K6X1008C2D-BF55 - 128Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6X1008C2D-BF55 - 128Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6X1008C2D-BF55 Obsolete

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K6X1008C2D-TF55 K6X1008C2D-BF55
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস উৎপাদন শেষ Obsolete
মেমরি টাইপ SRAM - Asynchronous Asynchronous CMOS Static RAM (SRAM)
মেমরি সাইজ 1 Mbit —
সংগঠন 128K x 8 —
Access Time (tAA) 55 ns —
ইন্টারফেস Parallel Parallel, asynchronous
Supply Voltage (Vcc) 4.5 V to 5.5 V —
Operating Current 35 mA —
Technology Low Power Full CMOS —
প্যাকেজ 32-TSOP REVERSE 32-SOP-525 (SOP-32)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Speed Options 55 ns, 70 ns —
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Memory Format Volatile (SRAM) —
Clock Frequency N/A (asynchronous) —
RoHS স্ট্যাটাস RoHS: Yes (per distributor listing) Compliant
Memory Organization — 128K x 8 bit (1 Mbit)
Density — 1 Mbit
Access Time — 55 ns
Supply Voltage (VCC) — 5 V (single supply)
Operating Current (ICC) — 30 mA typical
Standby Current (ICC2) — [DATA_NEEDED: standby current value]
ডেটা বাস প্রস্থ — 8 bit
Address Bus Width — 17 bit
Data Retention Voltage — Low data retention voltage supported
MSL লেভেল — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Lead-Free — Yes (Lead-Free variant)
Cell Technology — 6T CMOS memory cell

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট