K6X1008C2D-TF55 vs K6X1008C2D-BF55 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K6X1008C2D-TF55 द्वारा Samsung Electronics और K6X1008C2D-BF55 द्वारा Samsung Electro-Mechanics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung

K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung

K6X1008C2D-TF55 ✗ जीवन की समाप्ति
Samsung Electro-Mechanics
K6X1008C2D-BF55 K6X1008C2D-BF55 - 128Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6X1008C2D-BF55 - 128Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6X1008C2D-BF55 Obsolete

विशेषता तुलना

पैरामीटर K6X1008C2D-TF55 K6X1008C2D-BF55
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति उत्पादन बंद Obsolete
मेमोरी प्रकार SRAM - Asynchronous Asynchronous CMOS Static RAM (SRAM)
मेमोरी आकार 1 Mbit —
संगठन 128K x 8 —
Access Time (tAA) 55 ns —
इंटरफ़ेस Parallel Parallel, asynchronous
Supply Voltage (Vcc) 4.5 V to 5.5 V —
Operating Current 35 mA —
Technology Low Power Full CMOS —
पैकेज 32-TSOP REVERSE 32-SOP-525 (SOP-32)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Speed Options 55 ns, 70 ns —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Memory Format Volatile (SRAM) —
Clock Frequency N/A (asynchronous) —
RoHS स्थिति RoHS: Yes (per distributor listing) Compliant
Memory Organization — 128K x 8 bit (1 Mbit)
Density — 1 Mbit
Access Time — 55 ns
Supply Voltage (VCC) — 5 V (single supply)
Operating Current (ICC) — 30 mA typical
Standby Current (ICC2) — [DATA_NEEDED: standby current value]
डेटा बस चौड़ाई — 8 bit
Address Bus Width — 17 bit
Data Retention Voltage — Low data retention voltage supported
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Lead-Free — Yes (Lead-Free variant)
Cell Technology — 6T CMOS memory cell

डेटाशीट और संसाधन

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