K6X1008C2D-TF55 vs K6X1008C2D-BF55 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K6X1008C2D-TF55 توسط Samsung Electronics و K6X1008C2D-BF55 توسط Samsung Electro-Mechanics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung

K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung

K6X1008C2D-TF55 ✗ پایان تولید
Samsung Electro-Mechanics
K6X1008C2D-BF55 K6X1008C2D-BF55 - 128Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6X1008C2D-BF55 - 128Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6X1008C2D-BF55 Obsolete

مقایسه مشخصات

پارامتر K6X1008C2D-TF55 K6X1008C2D-BF55
برند Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر پایان عمر محصول Obsolete
نوع حافظه SRAM - Asynchronous Asynchronous CMOS Static RAM (SRAM)
اندازه حافظه 1 Mbit —
سازمان 128K x 8 —
Access Time (tAA) 55 ns —
رابط Parallel Parallel, asynchronous
Supply Voltage (Vcc) 4.5 V to 5.5 V —
Operating Current 35 mA —
Technology Low Power Full CMOS —
بسته‌بندی 32-TSOP REVERSE 32-SOP-525 (SOP-32)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Speed Options 55 ns, 70 ns —
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Memory Format Volatile (SRAM) —
Clock Frequency N/A (asynchronous) —
وضعیت RoHS RoHS: Yes (per distributor listing) Compliant
Memory Organization — 128K x 8 bit (1 Mbit)
Density — 1 Mbit
Access Time — 55 ns
Supply Voltage (VCC) — 5 V (single supply)
Operating Current (ICC) — 30 mA typical
Standby Current (ICC2) — [DATA_NEEDED: standby current value]
عرض گذرگاه داده — 8 bit
Address Bus Width — 17 bit
Data Retention Voltage — Low data retention voltage supported
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Lead-Free — Yes (Lead-Free variant)
Cell Technology — 6T CMOS memory cell

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت