M29W800FT70N3E vs M29W800FB70N3E তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29W800FT70N3E নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29W800FB70N3E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
M29W800FT70N3E M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E ✓ সক্রিয়
Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার M29W800FT70N3E M29W800FB70N3E
ব্র্যান্ড Micron Technology Micron Technology
ক্যাটাগরি Flash Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ NOR Flash (Parallel) NOR Flash
Density 8 Mbit 8 Mbit (8388608 bits)
সংগঠন 1M x 8 / 512K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V up to 3.6 V for program, erase and read
Programming / Erase Supply Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V) —
Boot Block Location Top boot block (FT variant) —
Bus Width 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable) —
ইন্টারফেস Parallel, address/data bus Parallel
অপারেটিং তাপমাত্রা -40C to +125C -40C to +125C
প্যাকেজ 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch) 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Block Organization [DATA_NEEDED: block size/organization] —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS compliant (plastic TSOP-48)
ডেটা বাস প্রস্থ — x8/x16 (BYTE# selectable)
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
Memory Blocks — 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration)
পিন সংখ্যা — 48
Product Longevity Program — No
FBGA Code — N/A
Chipset Validation — N/A

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট