M29W800FT70N3E vs M29W800FB70N3E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W800FT70N3E द्वारा Micron Technology और M29W800FB70N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W800FB70N3E ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29W800FT70N3E | M29W800FB70N3E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Flash | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash |
| Density | 8 Mbit | 8 Mbit (8388608 bits) |
| संगठन | 1M x 8 / 512K x 16 | 512K x 16 / 1M x 8 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | up to 3.6 V for program, erase and read |
| Programming / Erase Supply | Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V) | — |
| Boot Block Location | Top boot block (FT variant) | — |
| Bus Width | 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel, address/data bus | Parallel |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C | -40C to +125C |
| पैकेज | 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch) | 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Block Organization | [DATA_NEEDED: block size/organization] | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | RoHS compliant (plastic TSOP-48) |
| डेटा बस चौड़ाई | — | x8/x16 (BYTE# selectable) |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word (typical) |
| Memory Blocks | — | 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) |
| पिन काउंट | — | 48 |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | N/A |
| Chipset Validation | — | N/A |