M29W800FT70N3E vs M29W800FB70N3E مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29W800FT70N3E توسط Micron Technology و M29W800FB70N3E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29W800FT70N3E M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E ✓ فعال
Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29W800FT70N3E M29W800FB70N3E
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Flash Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه NOR Flash (Parallel) NOR Flash
Density 8 Mbit 8 Mbit (8388608 bits)
سازمان 1M x 8 / 512K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V up to 3.6 V for program, erase and read
Programming / Erase Supply Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V) —
Boot Block Location Top boot block (FT variant) —
Bus Width 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable) —
رابط Parallel, address/data bus Parallel
دمای کاری -40C to +125C -40C to +125C
بسته‌بندی 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch) 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Block Organization [DATA_NEEDED: block size/organization] —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS compliant (plastic TSOP-48)
عرض گذرگاه داده — x8/x16 (BYTE# selectable)
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
Memory Blocks — 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration)
تعداد پایه — 48
Product Longevity Program — No
FBGA Code — N/A
Chipset Validation — N/A

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت