M29W800FT70N3E vs M29W800FB70N3E השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של M29W800FT70N3E מאת Micron Technology ו M29W800FB70N3E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | M29W800FT70N3E | M29W800FB70N3E |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Micron Technology |
| קטגוריה | Flash | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash |
| Density | 8 Mbit | 8 Mbit (8388608 bits) |
| ארגון | 1M x 8 / 512K x 16 | 512K x 16 / 1M x 8 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | up to 3.6 V for program, erase and read |
| Programming / Erase Supply | Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V) | — |
| Boot Block Location | Top boot block (FT variant) | — |
| Bus Width | 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable) | — |
| ממשק | Parallel, address/data bus | Parallel |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +125C | -40C to +125C |
| מארז | 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch) | 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Block Organization | [DATA_NEEDED: block size/organization] | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | RoHS compliant (plastic TSOP-48) |
| רוחב אפיק נתונים | — | x8/x16 (BYTE# selectable) |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word (typical) |
| Memory Blocks | — | 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) |
| מספר פינים | — | 48 |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | N/A |
| Chipset Validation | — | N/A |