M29W800FT70N3E vs M29W800FB70N3E موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29W800FT70N3E بذریعہ Micron Technology اور M29W800FB70N3E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M29W800FT70N3E M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E ✓ فعال
Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M29W800FT70N3E M29W800FB70N3E
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ Flash Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ NOR Flash (Parallel) NOR Flash
Density 8 Mbit 8 Mbit (8388608 bits)
تنظیم 1M x 8 / 512K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V up to 3.6 V for program, erase and read
Programming / Erase Supply Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V) —
Boot Block Location Top boot block (FT variant) —
Bus Width 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable) —
انٹرفیس Parallel, address/data bus Parallel
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +125C -40C to +125C
پیکیج 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch) 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Block Organization [DATA_NEEDED: block size/organization] —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS compliant (plastic TSOP-48)
ڈیٹا بس چوڑائی — x8/x16 (BYTE# selectable)
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
Memory Blocks — 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration)
پن کی تعداد — 48
Product Longevity Program — No
FBGA Code — N/A
Chipset Validation — N/A

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں