M29W800FT70N3E vs M29W800FB70N3E Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W800FT70N3E tarafından Micron Technology ve M29W800FB70N3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | M29W800FT70N3E | M29W800FB70N3E |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | Flash | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash |
| Density | 8 Mbit | 8 Mbit (8388608 bits) |
| Organizasyon | 1M x 8 / 512K x 16 | 512K x 16 / 1M x 8 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | up to 3.6 V for program, erase and read |
| Programming / Erase Supply | Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V) | — |
| Boot Block Location | Top boot block (FT variant) | — |
| Bus Width | 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable) | — |
| Arayüz | Parallel, address/data bus | Parallel |
| İşletim Sıcaklığı | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Paket | 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch) | 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Block Organization | [DATA_NEEDED: block size/organization] | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | RoHS compliant (plastic TSOP-48) |
| Veri Bus Genişliği | — | x8/x16 (BYTE# selectable) |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word (typical) |
| Memory Blocks | — | 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) |
| Pin Sayısı | — | 48 |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | N/A |
| Chipset Validation | — | N/A |