MRF8S9170NR3 vs MRF8S9220HSR3 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MRF8S9170NR3 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors ও MRF8S9220HSR3 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

NXP Semiconductors
MRF8S9170NR3 MRF8S9170NR3 - 50W 920-960MHz RF Power LDMOS | NXP

MRF8S9170NR3 - 50W 920-960MHz RF Power LDMOS | NXP

MRF8S9170NR3 ✓ সক্রিয়
NXP Semiconductors
MRF8S9220HSR3 MRF8S9220HSR3 - 65W 920-960MHz W-CDMA RF Power LDMOS | NXP

MRF8S9220HSR3 - 65W 920-960MHz W-CDMA RF Power LDMOS | NXP

MRF8S9220HSR3 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার MRF8S9170NR3 MRF8S9220HSR3
ব্র্যান্ড NXP Semiconductors NXP Semiconductors
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer NXP Semiconductors —
ট্রানজিস্টর টাইপ LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET —
Technology RF Power LDMOS LDMOS (Laterally Diffused MOSFET), N-Channel Enhancement-Mode
Frequency Range 920 MHz to 960 MHz 920 MHz to 960 MHz
Output Power (Average, W-CDMA) 50 W —
Power Gain (Typical) 19.3 dB at 920 MHz, 28 V, 1 A quiescent bias —
Drain-Source Voltage Rating (Vdss) 70 V —
Operating Drain Voltage (Test Condition) 28 V —
Quiescent Bias Current (Idq, Test Condition) 1 A —
Drain Current (Operating) [DATA_NEEDED: typical operating Id at 50 W Pout] —
প্যাকেজ OM-780-2 (ceramic flange) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount / Flange Mount (bolt-down thermal pad) Surface Mount / Flange Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: Tj max and operating range from datasheet] —
Class of Operation Class AB, Class C (W-CDMA) —
Lead-Free / RoHS Lead Free (per digchip listing) Lead Free (per DigChip listing)
ESD Protection [DATA_NEEDED: ESD class rating from datasheet] —
Impedance Characterization Series-equivalent large-signal impedance parameters provided —
Test Conditions Note 100% PAR tested for guaranteed output power capability —
Output Power (Avg, W-CDMA) — 65 W
Operating Drain Voltage (VDD) — 28 V (typical)
Drain-Source Voltage Rating (VDS max) — 70 V
Power Gain (typ) — 19.4 dB
Test Drain Current — 1.6 A
Drain Efficiency (typ) — [DATA_NEEDED: drain efficiency %]
প্যাকেজ / কেস — NI-780S (Case 465-06, Style 1), ceramic
Package Dimensions (L x W x H) — 20.7 mm x 9.91 mm x 4.32 mm
Configuration — Single-ended, 1-carrier W-CDMA
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -65 C to +225 C
Modulation Support — W-CDMA, CDMA, LTE (Class AB / Class C)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট