MRF8S9170NR3 vs MRF8S9220HSR3 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF8S9170NR3 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF8S9220HSR3 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

NXP Semiconductors
MRF8S9170NR3 MRF8S9170NR3 - 50W 920-960MHz RF Power LDMOS | NXP

MRF8S9170NR3 - 50W 920-960MHz RF Power LDMOS | NXP

MRF8S9170NR3 ✓ فعال
NXP Semiconductors
MRF8S9220HSR3 MRF8S9220HSR3 - 65W 920-960MHz W-CDMA RF Power LDMOS | NXP

MRF8S9220HSR3 - 65W 920-960MHz W-CDMA RF Power LDMOS | NXP

MRF8S9220HSR3 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MRF8S9170NR3 MRF8S9220HSR3
برانڈ NXP Semiconductors NXP Semiconductors
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer NXP Semiconductors —
ٹرانزسٹر کی قسم LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET —
Technology RF Power LDMOS LDMOS (Laterally Diffused MOSFET), N-Channel Enhancement-Mode
Frequency Range 920 MHz to 960 MHz 920 MHz to 960 MHz
Output Power (Average, W-CDMA) 50 W —
Power Gain (Typical) 19.3 dB at 920 MHz, 28 V, 1 A quiescent bias —
Drain-Source Voltage Rating (Vdss) 70 V —
Operating Drain Voltage (Test Condition) 28 V —
Quiescent Bias Current (Idq, Test Condition) 1 A —
Drain Current (Operating) [DATA_NEEDED: typical operating Id at 50 W Pout] —
پیکیج OM-780-2 (ceramic flange) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount / Flange Mount (bolt-down thermal pad) Surface Mount / Flange Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: Tj max and operating range from datasheet] —
Class of Operation Class AB, Class C (W-CDMA) —
Lead-Free / RoHS Lead Free (per digchip listing) Lead Free (per DigChip listing)
ESD Protection [DATA_NEEDED: ESD class rating from datasheet] —
Impedance Characterization Series-equivalent large-signal impedance parameters provided —
Test Conditions Note 100% PAR tested for guaranteed output power capability —
Output Power (Avg, W-CDMA) — 65 W
Operating Drain Voltage (VDD) — 28 V (typical)
Drain-Source Voltage Rating (VDS max) — 70 V
Power Gain (typ) — 19.4 dB
Test Drain Current — 1.6 A
Drain Efficiency (typ) — [DATA_NEEDED: drain efficiency %]
پیکیج / کیس — NI-780S (Case 465-06, Style 1), ceramic
Package Dimensions (L x W x H) — 20.7 mm x 9.91 mm x 4.32 mm
Configuration — Single-ended, 1-carrier W-CDMA
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -65 C to +225 C
Modulation Support — W-CDMA, CDMA, LTE (Class AB / Class C)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں