MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63MFR-PBA তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT41K256M16HA-125 নির্দিষ্ট Micron Technology ও H5TC4G63MFR-PBA নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ সক্রিয়
SK hynix
H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার MT41K256M16HA-125 H5TC4G63MFR-PBA
ব্র্যান্ড Micron Technology SK hynix
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ইউনিট মূল্য (USD) $6.36 —
মেমরি টাইপ SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
মেমরি সাইজ 4Gbit (256M x 16) —
ডেটা বাস প্রস্থ 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.35 V —
প্যাকেজ 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA
পিনের সংখ্যা 96 —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount —
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
Lead-Free Yes —
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
CAS লেটেন্সি 11 —
Density — 4 Gb
সংগঠন — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V (+0.100V/-0.067V)
ডেটা রেট — 1866 Mbps (PC3L-14900)
Number of Banks — 8
Burst Length — BL8, BL4 (with burst chop)
CAS Latency (CL) — Programmable
CAS Write Latency (CWL) — Programmable
Additive Latency — Programmable
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Temperature-Compensated Self-Refresh — Yes
Process Technology — 30nm-class
RoHS Compliant — Yes (Lead-Free & Halogen-Free)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট