MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63MFR-PBA Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT41K256M16HA-125 tarafından Micron Technology ve H5TC4G63MFR-PBA tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktif
SK hynix
H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre MT41K256M16HA-125 H5TC4G63MFR-PBA
Marka Micron Technology SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) $6,36 —
Bellek Türü SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Bellek Boyutu 4Gbit (256M x 16) —
Veri Bus Genişliği 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
Besleme Gerilimi 1.35 V —
Paket 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA
Pin Sayısı 96 —
Montaj Türü Surface Mount —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
CAS Gecikme 11 —
Density — 4 Gb
Organizasyon — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V (+0.100V/-0.067V)
Veri Hızı — 1866 Mbps (PC3L-14900)
Number of Banks — 8
Burst Length — BL8, BL4 (with burst chop)
CAS Latency (CL) — Programmable
CAS Write Latency (CWL) — Programmable
Additive Latency — Programmable
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Temperature-Compensated Self-Refresh — Yes
Process Technology — 30nm-class
RoHS Compliant — Yes (Lead-Free & Halogen-Free)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin