MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63MFR-PBA موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT41K256M16HA-125 بذریعہ Micron Technology اور H5TC4G63MFR-PBA بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ فعال
SK hynix
H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MT41K256M16HA-125 H5TC4G63MFR-PBA
برانڈ Micron Technology SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $6.36 —
میموری ٹائپ SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
میموری سائز 4Gbit (256M x 16) —
ڈیٹا بس چوڑائی 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
سپلائی وولٹیج 1.35 V —
پیکیج 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA
پنز کی تعداد 96 —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
CAS لیٹنسی 11 —
Density — 4 Gb
تنظیم — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V (+0.100V/-0.067V)
ڈیٹا ریٹ — 1866 Mbps (PC3L-14900)
Number of Banks — 8
Burst Length — BL8, BL4 (with burst chop)
CAS Latency (CL) — Programmable
CAS Write Latency (CWL) — Programmable
Additive Latency — Programmable
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Temperature-Compensated Self-Refresh — Yes
Process Technology — 30nm-class
RoHS Compliant — Yes (Lead-Free & Halogen-Free)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں