MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63MFR-PBA مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT41K256M16HA-125 بواسطة Micron Technology و H5TC4G63MFR-PBA بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MT41K256M16HA-125 | H5TC4G63MFR-PBA |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $6.36 | — |
| نوع الذاكرة | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4Gbit (256M x 16) | — |
| عرض ناقل البيانات | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 13.75 ns | — |
| جهد التغذية | 1.35 V | — |
| العلبة | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Refresh Interval | 7.8 us at 85C | — |
| زمن الوصول CAS | 11 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| التنظيم | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (+0.100V/-0.067V) |
| معدل البيانات | — | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | BL8, BL4 (with burst chop) |
| CAS Latency (CL) | — | Programmable |
| CAS Write Latency (CWL) | — | Programmable |
| Additive Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | — | Yes |
| Process Technology | — | 30nm-class |
| RoHS Compliant | — | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) |