MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63MFR-PBA مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار MT41K256M16HA-125 توسط Micron Technology و H5TC4G63MFR-PBA توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ فعال
SK hynix
H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر MT41K256M16HA-125 H5TC4G63MFR-PBA
برند Micron Technology SK hynix
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) $6.36 —
نوع حافظه SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
اندازه حافظه 4Gbit (256M x 16) —
عرض گذرگاه داده 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
ولتاژ تغذیه 1.35 V —
بسته‌بندی 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA
تعداد پین‌ها 96 —
نوع نصب Surface Mount —
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
تأخیر CAS 11 —
Density — 4 Gb
سازمان — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V (+0.100V/-0.067V)
نرخ داده — 1866 Mbps (PC3L-14900)
Number of Banks — 8
Burst Length — BL8, BL4 (with burst chop)
CAS Latency (CL) — Programmable
CAS Write Latency (CWL) — Programmable
Additive Latency — Programmable
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Temperature-Compensated Self-Refresh — Yes
Process Technology — 30nm-class
RoHS Compliant — Yes (Lead-Free & Halogen-Free)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت