MT41K256M16RE-125:D vs H5TC4G63AFR-PBI তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT41K256M16RE-125:D নির্দিষ্ট Micron Technology ও H5TC4G63AFR-PBI নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MT41K256M16RE-125:D | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | SK hynix |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | Obsolete |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35 V | 1.35 V |
| ডেটা রেট | 1600 MT/s | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| CAS লেটেন্সি | 11 | Programmable |
| প্যাকেজ | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -40°C to +95°C |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Surface Mount |
| Number of Terminals | — | 96 |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |