MT41K256M16RE-125:D vs H5TC4G63AFR-PBI तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16RE-125:D द्वारा Micron Technology और H5TC4G63AFR-PBI द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT41K256M16RE-125:D | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | Obsolete |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35 V |
| डेटा दर | 1600 MT/s | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| CAS लेटेंसी | 11 | Programmable |
| पैकेज | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -40°C to +95°C |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| Number of Terminals | — | 96 |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |