MT41K256M16RE-125:D vs H5TC4G63AFR-PBI مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT41K256M16RE-125:D بواسطة Micron Technology و H5TC4G63AFR-PBI بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MT41K256M16RE-125:D | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | Obsolete |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| جهد التغذية | 1.35 V | 1.35 V |
| معدل البيانات | 1600 MT/s | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| زمن الوصول CAS | 11 | Programmable |
| العلبة | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40°C to +95°C |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| Number of Terminals | — | 96 |
| حالة RoHS | — | Compliant |