MT41K256M16RE-125:D vs H5TC4G63AFR-PBI השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT41K256M16RE-125:D מאת Micron Technology ו H5TC4G63AFR-PBI מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | MT41K256M16RE-125:D | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | Obsolete |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| מתח אספקה | 1.35 V | 1.35 V |
| קצב נתונים | 1600 MT/s | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| השהיית CAS | 11 | Programmable |
| מארז | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -40°C to +95°C |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| Number of Terminals | — | 96 |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |