MT41K256M16RE-125:D vs H5TC4G63AFR-PBI موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT41K256M16RE-125:D بذریعہ Micron Technology اور H5TC4G63AFR-PBI بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT41K256M16RE-125:D | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | Obsolete |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | 1.35 V |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 MT/s | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| CAS لیٹنسی | 11 | Programmable |
| پیکیج | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -40°C to +95°C |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| Number of Terminals | — | 96 |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |