MT41K256M16RE-125:D vs H5TC4G63AFR-PBI 比較
詳細並排比較 MT41K256M16RE-125:D 由 Micron Technology 與 H5TC4G63AFR-PBI 由 SK hynix. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | MT41K256M16RE-125:D | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| 品牌 | Micron Technology | SK hynix |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | Obsolete |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| 組織 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 供應電壓 | 1.35 V | 1.35 V |
| 資料速率 | 1600 MT/s | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| CAS 延遲 | 11 | Programmable |
| 封裝 | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| 工作溫度 | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| 工作溫度範圍 | — | -40°C to +95°C |
| 安裝類型 | — | Surface Mount |
| Number of Terminals | — | 96 |
| RoHS 狀態 | — | Compliant |