MT41K256M16RE-125:D vs H5TC4G63AFR-PBI Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng MT41K256M16RE-125:D sa pamamagitan ng Micron Technology at H5TC4G63AFR-PBI sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | MT41K256M16RE-125:D | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| Brand | Micron Technology | SK hynix |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Obsolete |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | 1.35 V |
| Rate ng Data | 1600 MT/s | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| Latensya ng CAS | 11 | Programmable |
| Packhaging | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| Temperature na Operasyon | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | — | -40°C to +95°C |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Tindminan RoHS | — | Compliant |