MT41K256M16RE-125:D vs H5TC4G63AFR-PBI So sánh
So sánh chi tiết song song của MT41K256M16RE-125:D bằng Micron Technology và H5TC4G63AFR-PBI bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MT41K256M16RE-125:D | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Micron Technology | SK hynix |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Obsolete |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Tổ chức | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Điện áp cung cấp | 1.35 V | 1.35 V |
| Tốc độ dữ liệu | 1600 MT/s | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| Latency CAS | 11 | Programmable |
| Hộp | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| Nhiệt độ hoạt động | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -40°C to +95°C |
| Kiểu lắp đặt | — | Surface Mount |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |